Transistor canal N BTS432E2E3062A, D²-PAK/5, TO-263, 42V

Transistor canal N BTS432E2E3062A, D²-PAK/5, TO-263, 42V

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Transistor canal N BTS432E2E3062A, D²-PAK/5, TO-263, 42V. Boîtier: D²-PAK/5. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 80us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS432E2-SMD. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 300us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:16

Documentation technique (PDF)
BTS432E2E3062A
15 paramètres
Boîtier
D²-PAK/5
Boîtier (norme JEDEC)
TO-263
Tension drain-source Uds [V]
42V
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
11A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.038 Ohms @ 2A
Dissipation maximale Ptot [W]
125W
Délai de coupure tf[nsec.]
80us
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
BTS432E2-SMD
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
300us
Température maxi
+150°C.
Produit d'origine constructeur
Infineon