Transistor canal N BTS436L2GATMA1, 38m Ohms, D²-PAK/5, PG-TO263-5-2, TO-263, 41V

Quantité

Prix unitaire

1-4

11.31$

5-9

10.77$

10-24

10.28$

25-49

9.78$

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Transistor canal N BTS436L2GATMA1, 38m Ohms, D²-PAK/5, PG-TO263-5-2, TO-263, 41V. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. Boîtier: D²-PAK/5. Boîtier (selon fiche technique): PG-TO263-5-2. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 41V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 250us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Spec info: N-MOS 43V 9.8A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:52

Documentation technique (PDF)

BTS436L2GATMA1

18 paramètres

Résistance passante Rds On

38m Ohms

Boîtier

D²-PAK/5

Boîtier (selon fiche technique)

PG-TO263-5-2

Boîtier (norme JEDEC)

TO-263

Tension drain-source Uds [V]

41V

Configuration

composant monté en surface (CMS)

Courant de drain Id (A) @ 25°C

9.8A

Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]

0.072 Ohm @ 2A

Dissipation maximale Ptot [W]

75W

Délai de coupure tf[nsec.]

250us

Famille de composants

MOSFET, N-MOS

Montage/installation

montage traversant pour circuit imprimé

Nombre de bornes

RoHS

oui

Spec info

N-MOS 43V 9.8A

Temps d'enclenchement ton [nsec.]

200us

Température maxi

+150°C.

Produit d'origine constructeur

Infineon Technologies