Transistor canal N BTS740S2, SO, 30 milliOhms, PG-DSO20, 34V. Boîtier: SO. Résistance passante Rds On: 30 milliOhms. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): PG-DSO20. Tension drain-source Uds [V]: 34V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2x5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 200us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: 'Smart High-Side Power Switch'. Marquage du fabricant: BTS740S2. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 20. RoHS: oui. Sortie: 2db N-MOS 43V 5.5A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 150us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -. VCC: 5...34V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:52