Transistor canal N BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V

Transistor canal N BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.27$
5-24
1.96$
25-49
1.77$
50-99
1.62$
100+
1.39$
Quantité en stock: 31

Transistor canal N BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V. Id (T=100°C): 14A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 0.064 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT-78 ( TO220AB ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 440pF. C (out): 90pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 62W. Fonction: automobile, commutation de puissance, moteur 12 V et 24 V. Id(imp): 81A. Idss (min): 0.05uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Td(off): 28 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
BUK9575-55A
33 paramètres
Id (T=100°C)
14A
Id (T=25°C)
20A
Idss (maxi)
500uA
Résistance passante Rds On
0.064 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-78 ( TO220AB )
Tension Vds(max)
55V
C (in)
440pF
C (out)
90pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
62W
Fonction
automobile, commutation de puissance, moteur 12 V et 24 V
Id(imp)
81A
Idss (min)
0.05uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed)
Td(off)
28 ns
Td(on)
10 ns
Technologie
TrenchMOS logic level POWER MOSFET
Température
+175°C
Tension grille/source Vgs
10V
Trr Diode (Min.)
33 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
Nxp Semiconductors