Transistor canal N BUZ76A, TO-220AB, 400V

Transistor canal N BUZ76A, TO-220AB, 400V

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4.32$
Quantité en stock: 25

Transistor canal N BUZ76A, TO-220AB, 400V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BUZ76A. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 19:01

Documentation technique (PDF)
BUZ76A
16 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension drain-source Uds [V]
400V
Capacité de grille Ciss [pF]
650pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
2.7A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
2 Ohms @ 2A
Dissipation maximale Ptot [W]
40W
Délai de coupure tf[nsec.]
75 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
BUZ76A
Nombre de bornes
3
RoHS
non
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
12 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
Infineon