Transistor canal N BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V

Transistor canal N BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.64$
5-24
2.19$
25-49
1.84$
50+
1.68$
Quantité en stock: 6

Transistor canal N BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 460pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. Idss (min): 0.1uA. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 50 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Siemens. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

BUZ77B
25 paramètres
Id (T=100°C)
1.7A
Id (T=25°C)
2.9A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
3 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
600V
C (in)
460pF
C (out)
55pF
Dissipation de puissance maxi
75W
Fonction
BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode
Id(imp)
11.5A
Idss (min)
0.1uA
Quantité par boîtier
1
Td(off)
50 ns
Td(on)
8 ns
Technologie
V-MOS
Température de fonctionnement
-50...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
350 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2.1V
Produit d'origine constructeur
Siemens