Transistor canal N CM200DY-24H, 200A, autre, autre, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 40pF. C (out): 14pF. Courant de collecteur: 200A. Dimensions: 108x62x31mm. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 1500W. Fonction: Double transistor IGBT (isolé). Ic(puls): 400A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Spec info: commutation haute puissance. Td(off): 300 ns. Td(on): 250 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 05:16