Transistor canal N DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V

Transistor canal N DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V

Quantité
Prix unitaire
1-99
1.57$
100+
1.31$
Quantité en stock: 4398

Transistor canal N DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 590/631pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6A/-4.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Famille de composants: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Marquage du fabricant: C3025LS. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V/-2V. Produit d'origine constructeur: Diodes Zetex. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:53

Documentation technique (PDF)
DMHC3025LSD-13
16 paramètres
Boîtier
SO8
Tension drain-source Uds [V]
30V/-30V
Capacité de grille Ciss [pF]
590/631pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
6A/-4.2A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A
Dissipation maximale Ptot [W]
1.5W
Délai de coupure tf[nsec.]
14.5/28.2 ns
Famille de composants
MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS
Marquage du fabricant
C3025LS
Nombre de bornes
8
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
11.2 ns/7.5 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
1.2V/-2V
Produit d'origine constructeur
Diodes Zetex