Transistor canal N FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V

Transistor canal N FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.98$
5-24
3.43$
25-49
3.01$
50-99
2.73$
100+
2.35$
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Transistor canal N FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V. Tension drain - source (Vds): 650V. Résistance passante Rds On: 0.33 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1148pF. C (out): 671pF. Courant de drain maxi: 11A. Dissipation de puissance maxi: 36W. Fonction: Fast switch, Low gate charge 40nC, Low Crss 95pF. Id(imp): 33A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. Technologie: SuperFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

Documentation technique (PDF)
FCPF11N60
26 paramètres
Tension drain - source (Vds)
650V
Résistance passante Rds On
0.33 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Id (T=100°C)
7A
Id (T=25°C)
11A
Idss (maxi)
10uA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
600V
C (in)
1148pF
C (out)
671pF
Courant de drain maxi
11A
Dissipation de puissance maxi
36W
Fonction
Fast switch, Low gate charge 40nC, Low Crss 95pF
Id(imp)
33A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Puissance
36W
Quantité par boîtier
1
Technologie
SuperFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Fairchild