Transistor canal N FDA50N50, TO-3P, 500V. Boîtier: TO-3P. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6460pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 48A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Dissipation maximale Ptot [W]: 625W. Délai de coupure tf[nsec.]: 460 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FDA50N50. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 220 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Produit d'origine constructeur: Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:16