Transistor canal N FDD5690, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, 60V, 9A, 30A, 1uA, 0.023 Ohms, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.023 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1110pF. C (out): 150pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1110pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: DC/DC Converter, Low gate charge (23nC). Id(imp): 100A. Marquage du fabricant: FDD5690. Marquage sur le boîtier: FDD5690. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. RoHS: oui. Td(off): 24 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19