Transistor canal N FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Transistor canal N FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.57$
5-49
4.35$
50-99
4.13$
100+
3.65$
Quantité en stock: 293

Transistor canal N FDD6296, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.0088 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 52W. Id(imp): 100A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

FDD6296
22 paramètres
Id (T=25°C)
50A
Idss (maxi)
1uA
Résistance passante Rds On
0.0088 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension Vds(max)
30 v
Dissipation de puissance maxi
52W
Id(imp)
100A
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
PowerTrench MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
25 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor