Transistor canal N FDD8447L, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Transistor canal N FDD8447L, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.88$
5-49
1.56$
50-99
1.39$
100+
1.22$
Quantité en stock: 1389

Transistor canal N FDD8447L, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=100°C): 15.2A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.085 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1970pF. C (out): 250pF. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 44W. Fonction: Commutation rapide, onduleurs, alimentations. Id(imp): 100A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FDD8447L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 38 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power Trench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 22 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 2500. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

Documentation technique (PDF)
FDD8447L
33 paramètres
Id (T=100°C)
15.2A
Id (T=25°C)
57A
Idss (maxi)
1uA
Résistance passante Rds On
0.085 Ohms
Boîtier
D-PAK ( TO-252 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Tension Vds(max)
40V
C (in)
1970pF
C (out)
250pF
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
44W
Fonction
Commutation rapide, onduleurs, alimentations
Id(imp)
100A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
FDD8447L
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
38 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
Power Trench MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
22 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
2500
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
Fairchild