Transistor canal N FDH45N50F-F133, TO-247, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6630pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 45A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 625W. Délai de coupure tf[nsec.]: 215 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FDH45N50F. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:19