Transistor canal N FDP3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor canal N FDP3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
7.47$
5-9
6.81$
10-24
6.22$
25-49
5.68$
50+
4.91$
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Transistor canal N FDP3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6000pF. C (out): 820pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

Documentation technique (PDF)
FDP3632
30 paramètres
Id (T=100°C)
57A
Id (T=25°C)
80A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.009 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
100V
C (in)
6000pF
C (out)
820pF
Dissipation de puissance maxi
310W
Fonction
convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS
Id(imp)
80A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
90 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
N-Channel PowerTrench® MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
64 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor

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