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Transistor canal N FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V
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Transistor canal N FQPF8N60C, TO-220FP, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm, TO-220F, 600V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 965pF. C (out): 105pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1255pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Dissipation de puissance maxi: 48W. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 12pF. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FQPF8N60C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 81 ns. Td(on): 16.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 45 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 365ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:37