Transistor canal N IKW40N120H3, TO-247, 40A, TO-247N, 1200V. Boîtier: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247N. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2330pF. C (out): 185pF. Courant de collecteur: 80A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Diode intégrée: oui. Dissipation de puissance maxi: 483W. Fonction: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: K40H1203. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Puissance: 483W. RoHS: oui. Td(off): 290 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension collecteur – émetteur: 1200V. Tension de saturation VCE(sat): 2.05V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: transistor IGBT. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43