Transistor canal N IPB014N06NATMA1, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7
Quantité
Prix unitaire
1-9
6.81$
10-49
6.36$
50-99
6.00$
100-499
5.72$
500+
5.01$
| Quantité en stock: 44 |
Transistor canal N IPB014N06NATMA1, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Résistance passante Rds On: 2.1M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO263-7. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 214W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: OptiMOS Power. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 02/01/2026, 06:55
IPB014N06NATMA1
13 paramètres
Résistance passante Rds On
2.1M Ohms
Boîtier
D2PAK ( TO-263 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO263-7
Conditionnement
rouleau
Dissipation de puissance maxi
214W
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
OptiMOS Power
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies