Transistor canal N IPB014N06NATMA1, 2.1M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO263-7. Résistance passante Rds On: 2.1M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO263-7. Conditionnement: rouleau. Dissipation de puissance maxi: 214W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: OptiMOS Power. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43