Transistor canal N IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V

Transistor canal N IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.79$
5-24
1.52$
25-49
1.33$
50-99
1.19$
100+
1.06$
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Quantité en stock: 371

Transistor canal N IRF540N, TO-220, 23A, 33A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.044 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1960pF. C (out): 250pF. Charge: 47.3nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 33A. Dissipation de puissance maxi: 130W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 110A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 140W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.1K/W. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 115 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
IRF540N
38 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=100°C)
23A
Id (T=25°C)
33A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.044 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
100V
C (in)
1960pF
C (out)
250pF
Charge
47.3nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
33A
Dissipation de puissance maxi
130W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
110A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
140W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
1.1K/W
Td(off)
39 ns
Td(on)
11 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
100V
Tension grille-source
20V, ±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
115 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier