Transistor canal N IRF7103, 3A, SO, SO-8, 50V
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.03$
5-24
0.85$
25-49
0.75$
50-94
0.68$
95+
0.58$
| Quantité en stock: 82 |
Transistor canal N IRF7103, 3A, SO, SO-8, 50V. Id (T=25°C): 3A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 50V. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: 2xN-CH 50V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27
IRF7103
15 paramètres
Id (T=25°C)
3A
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
50V
Dissipation de puissance maxi
2W
Fonction
2xN-CH 50V
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Type de canal
N
Produit d'origine constructeur
International Rectifier