Transistor canal N IRFB9N60A, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 5.8A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: commutation rapide. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:34