Transistor canal N IRFI840G, 500V, 0.85 Ohms, TO-220FP, 2.9A, 4.6A, 250uA, TO-220F, 500V. Tension drain - source (Vds): 500V. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 4.6A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1300pF. C (out): 200pF. Courant de drain maxi: 4.6A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Id(imp): 18A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: diode. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:37