Transistor canal N IRFL210PBF, SOT-223, 200V
Quantité
Prix unitaire
1-79
2.39$
80+
1.99$
| Quantité en stock: 455 |
Transistor canal N IRFL210PBF, SOT-223, 200V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.96A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ 0.58A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.1W. Délai de coupure tf[nsec.]: 14 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: Fc. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 16:38
IRFL210PBF
16 paramètres
Boîtier
SOT-223
Tension drain-source Uds [V]
200V
Capacité de grille Ciss [pF]
140pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
0.96A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
1.5 Ohms @ 0.58A
Dissipation maximale Ptot [W]
3.1W
Délai de coupure tf[nsec.]
14 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
Fc
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
8.2 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Produit d'origine constructeur
Vishay (siliconix)