Transistor canal N IRFZ44N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Transistor canal N IRFZ44N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.51$
5-24
1.27$
25-49
1.10$
50-99
1.00$
100+
0.86$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 144

Transistor canal N IRFZ44N, 35A, 49A, 250uA, 0.0175 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 49A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0175 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1470pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 94W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 63us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:13

Documentation technique (PDF)
IRFZ44N
29 paramètres
Id (T=100°C)
35A
Id (T=25°C)
49A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.0175 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
55V
C (in)
1470pF
C (out)
360pF
Dissipation de puissance maxi
94W
Fonction
Ultra Low On-Resistance
Id(imp)
160A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
44 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
63us
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier

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