Transistor canal N IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.97$
5-9
1.24$
10-19
1.04$
20-49
0.94$
50+
0.87$
| Quantité en stock: 50 |
Transistor canal N IRLR2705PBF, TO252AA, DPAK. Boîtier: TO252AA, DPAK. Charge: 16.7nC. Courant de drain: 28A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Propriétés des éléments semi-conducteurs: Niveau logique. Puissance: 68W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 2.7K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 16V, ±16V. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET, logic level. Produit d'origine constructeur: Infineon (irf). Quantité en stock actualisée le 02/01/2026, 01:54
IRLR2705PBF
14 paramètres
Boîtier
TO252AA, DPAK
Charge
16.7nC
Courant de drain
28A
Montage/installation
SMD
Polarité
unipolaire
Propriétés des éléments semi-conducteurs
Niveau logique
Puissance
68W
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
2.7K/W
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
55V
Tension grille-source
16V, ±16V
Type de transistor
N-MOSFET, HEXFET, logic level
Produit d'origine constructeur
Infineon (irf)