Transistor canal N SGP30N60, TO-220, 30A, TO-220AC, 600V
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Transistor canal N SGP30N60, TO-220, 30A, TO-220AC, 600V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1600pF. C (out): 150pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant crête collecteur Ip [A]: 112A. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Courant de collecteur: 41A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Délai de coupure tf[nsec.]: 349 ns. Famille de composants: transistor IGBT. Fonction: commandes de moteur, onduleur. Ic(puls): 112A. Marquage du fabricant: G30N60. Marquage sur le boîtier: G30N60. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Td(off): 291 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 53 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N. Unité de conditionnement: 50. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 10:40