Transistor canal N SI4410BDY, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Transistor canal N SI4410BDY, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.10$
5-49
0.87$
50-99
0.73$
100+
0.65$
Quantité en stock: 2066

Transistor canal N SI4410BDY, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 1. Technologie: D-S-MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 07:30

Documentation technique (PDF)
SI4410BDY
16 paramètres
Id (T=100°C)
8A
Id (T=25°C)
10A
Idss (maxi)
10A
Résistance passante Rds On
0.013 Ohms
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
30 v
Dissipation de puissance maxi
2.5W
Fonction
transistor MOSFET N
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Quantité par boîtier
1
Technologie
D-S-MOSFET
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Vishay