Transistor canal N SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Transistor canal N SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
7.09$
5-9
6.27$
10-24
5.26$
25+
4.72$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 116

Transistor canal N SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. Dissipation de puissance maxi: 208W. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 51A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: SPP17N80C2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 05:54

Documentation technique (PDF)
SPP17N80C2
21 paramètres
Id (T=100°C)
11A
Id (T=25°C)
17A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.25 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
800V
Dissipation de puissance maxi
208W
Fonction
'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'
Id(imp)
51A
Idss (min)
0.5uA
Marquage sur le boîtier
SPP17N80C2
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Technologie
Cool Mos
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies

Produits équivalents et/ou accessoires pour SPP17N80C2