Transistor canal N SSS7N60A, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1150pF. C (out): 130pF. Dissipation de puissance maxi: 48W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 28A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 72 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 415 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Samsung. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54