Transistor canal N STGW30NC120HD, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V

Transistor canal N STGW30NC120HD, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
8.20$
5-14
7.26$
15-29
6.52$
30-59
5.94$
60+
5.09$
Quantité en stock: 33

Transistor canal N STGW30NC120HD, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2510pF. C (out): 175pF. Courant de collecteur: 60A. Date de production: 201509. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 220W. Fonction: capacité de courant élevée, impédance d'entrée élevée. Ic(puls): 135A. Marquage sur le boîtier: GW30NC120HD. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Td(off): 275 ns. Td(on): 29 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.75V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.75V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.75V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Type de canal: N. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:54

Documentation technique (PDF)
STGW30NC120HD
29 paramètres
Ic(T=100°C)
30A
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AC
Tension collecteur/émetteur Vceo
1200V
C (in)
2510pF
C (out)
175pF
Courant de collecteur
60A
Date de production
201509
Diode CE
oui
Diode au Germanium
non
Dissipation de puissance maxi
220W
Fonction
capacité de courant élevée, impédance d'entrée élevée
Ic(puls)
135A
Marquage sur le boîtier
GW30NC120HD
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
RoHS
oui
Spec info
Very Fast PowerMESH™ IGBT
Td(off)
275 ns
Td(on)
29 ns
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
2.2V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
2.75V
Tension grille - émetteur VGE(th) min.
3.75V
Tension grille - émetteur VGE(th)max.
5.75V
Tension grille - émetteur VGE
25V
Trr Diode (Min.)
35 ns
Type de canal
N
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics