Transistor canal N STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V

Transistor canal N STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.42$
5-9
3.83$
10-24
3.45$
25-49
3.23$
50+
2.87$
Quantité en stock: 44

Transistor canal N STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. Id (T=100°C): 70A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 80V. C (in): 5955pF. C (out): 244pF. Dissipation de puissance maxi: 176W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 400A. Idss (min): -. Marquage sur le boîtier: 100N8F6. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 103 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 38 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STP100N8F6
30 paramètres
Id (T=100°C)
70A
Id (T=25°C)
100A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.008 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
80V
C (in)
5955pF
C (out)
244pF
Dissipation de puissance maxi
176W
Fonction
circuits de commutation
Id(imp)
400A
Marquage sur le boîtier
100N8F6
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
103 ns
Td(on)
33 ns
Technologie
STripFET™ F6 technology
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
38 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics