Transistor canal N STP11NM60, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1000pF. C (out): 230pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 390 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29