Transistor canal N STP11NM60ND, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 850pF. C (out): 44pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 90W. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 11NM60ND. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29