Transistor canal N STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V

Transistor canal N STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.01$
5-24
4.37$
25-49
4.01$
50-99
3.72$
100+
3.31$
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Quantité en stock: 62

Transistor canal N STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V. Tension drain - source (Vds): 100V. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 77A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 5200pF. C (out): 785pF. Courant de drain maxi: 110A. Dissipation de puissance maxi: 312W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 440A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P120NF10. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 300W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 132 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 152 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STP120NF10
34 paramètres
Tension drain - source (Vds)
100V
Résistance passante Rds On
0.009 Ohms
Boîtier
TO-220
Id (T=100°C)
77A
Id (T=25°C)
110A
Idss (maxi)
10uA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
100V
C (in)
5200pF
C (out)
785pF
Courant de drain maxi
110A
Dissipation de puissance maxi
312W
Fonction
HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance
Id(imp)
440A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
P120NF10
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
300W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
132 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
STripFET™ II Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
152 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics