Transistor canal N STP12NM50FP, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V

Transistor canal N STP12NM50FP, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.37$
5-9
4.75$
10-24
4.39$
25-49
4.10$
50+
3.65$
Quantité en stock: 23

Transistor canal N STP12NM50FP, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 550V. C (in): 1000pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P12NM50FP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STP12NM50FP
30 paramètres
Id (T=100°C)
7.5A
Id (T=25°C)
12A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.3 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FP
Tension Vds(max)
550V
C (in)
1000pF
C (out)
250pF
Dissipation de puissance maxi
35W
Fonction
HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance
Id(imp)
48A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
P12NM50FP
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(on)
20 ns
Technologie
MDmesh Power MOSFET
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
270 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics