Transistor canal N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

Transistor canal N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.52$
5-24
1.26$
25-49
1.06$
50+
0.96$
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Transistor canal N STP14NF12, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. Id (T=100°C): 9A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.16 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 120V. C (in): 460pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 56A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P14NF12. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STP14NF12
27 paramètres
Id (T=100°C)
9A
Id (T=25°C)
14A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.16 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
120V
C (in)
460pF
C (out)
70pF
Dissipation de puissance maxi
60W
Fonction
faible charge d'entrée
Id(imp)
56A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
P14NF12
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
32 ns
Td(on)
16 ns
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Tension grille/source Vgs
20V
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics