Transistor canal N STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V

Transistor canal N STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.69$
5-24
4.08$
25-49
3.60$
50+
3.16$
Quantité en stock: 79

Transistor canal N STP14NK50ZFP, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2000pF. C (out): 238pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: protection par diode Zéner. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P14NK50ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STP14NK50ZFP
32 paramètres
Id (T=100°C)
7.6A
Id (T=25°C)
14A
Idss (maxi)
50uA
Résistance passante Rds On
0.34 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FP
Tension Vds(max)
500V
C (in)
2000pF
C (out)
238pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
35W
Fonction
protection par diode Zéner
Id(imp)
48A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
P14NK50ZFP
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
54 ns
Td(on)
24 ns
Technologie
SuperMESH ™Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
470 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics