Transistor canal N STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Transistor canal N STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.34$
5-24
2.00$
25-49
1.75$
50-99
1.58$
100+
1.38$
Quantité en stock: 90

Transistor canal N STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 100V. C (in): 870pF. C (out): 125pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 85W. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 104A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P24NF10. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible charge d'entrée. Td(off): 50 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil de la diode: 1.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STP24NF10
35 paramètres
Id (T=100°C)
18A
Id (T=25°C)
26A
Idss (maxi)
10uA
Résistance passante Rds On
0.055 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
100V
C (in)
870pF
C (out)
125pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
85W
Fonction
SWITCHING APPLICATION
Id(imp)
104A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
P24NF10
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
faible charge d'entrée
Td(off)
50 ns
Td(on)
60 ns
Technologie
STripFET II POWER MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension de seuil de la diode
1.5V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
100us
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics