Transistor canal N STP3NB80, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 4.6 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 440pF. C (out): 60pF. Dissipation de puissance maxi: 90W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 10.4A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 15 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29