Transistor canal N STP4NB80, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. Id (T=100°C): 2A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 800V. C (in): 700pF. C (out): 95pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. Idss (min): 1uA. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29