Transistor canal N STP55NF06, 60V, 35A, TO-220, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, 60V. Vdss (tension drain à source): 60V. Id (T=100°C): 35A. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1300pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: commutation rapide. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 50A. Id(imp): 200A. Idss (min): 1uA. Information: -. MSL: -. Marquage sur le boîtier: P55NF06. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Série: -. Td(off): 36ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 75 ns. Type de canal: N. Type de montage: THT. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29