Transistor canal N STP5NK80ZFP, 800V, TO-220FP, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, 800V

Transistor canal N STP5NK80ZFP, 800V, TO-220FP, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, 800V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.93$
5-24
1.68$
25-49
1.49$
50-99
1.36$
100+
1.17$
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Transistor canal N STP5NK80ZFP, 800V, TO-220FP, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, 800V. Tension drain - source (Vds): 800V. Boîtier: TO-220FP. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 910pF. C (out): 98pF. Courant de drain maxi: 4.3A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 17.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P5NK80ZFP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Puissance: 110W. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STP5NK80ZFP
32 paramètres
Tension drain - source (Vds)
800V
Boîtier
TO-220FP
Id (T=100°C)
2.7A
Id (T=25°C)
4.3A
Idss (maxi)
50uA
Résistance passante Rds On
1.9 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FP
Tension Vds(max)
800V
C (in)
910pF
C (out)
98pF
Courant de drain maxi
4.3A
Dissipation de puissance maxi
30W
Fonction
Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener
Id(imp)
17.2A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
P5NK80ZFP
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection G-S
oui
Protection drain-source
oui
Puissance
110W
Quantité par boîtier
1
Td(off)
45 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
SuperMESH Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
500 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics