Transistor canal N STP60NF06L, TO-220, 60V, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2000pF. C (out): 360pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 60A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Dissipation de puissance maxi: 110W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: faible charge de porte, VGS(th) 1...2.5V. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: P60NF06L. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: faible charge de porte, VGS(th) 1...2.5V. Td(off): 55 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Température maxi: +175°C.. Température: +240°C. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Tension grille/source Vgs: 15V. Trr Diode (Min.): 110us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29