Transistor canal N STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. Id (T=100°C): 37.5A. Id (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (maxi): 62A. Résistance passante Rds On: 12.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 33V. C (in): 1330pF. C (out): 420pF. Dissipation de puissance maxi: 110W. Fonction: entièrement protégé. Id(imp): 248A. Marquage sur le boîtier: P62NS04Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 10V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58