Transistor canal N STP6NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. Id (T=100°C): 3.65A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.56 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1350pF. C (out): 130pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 140W. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Id(imp): 23.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK90Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 840 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58