Transistor canal N STW10NK80Z, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W10NK80Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58