Transistor canal N STW11NK100Z, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 3500pF. C (out): 270pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: capacité dv/dt extrêmement élevée, applications de commutation. Id(imp): 33.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W11NK100Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Td(off): 98 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 560 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58