Transistor canal N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V

Transistor canal N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.89$
5-24
5.22$
25-49
4.40$
50+
3.98$
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Transistor canal N STW13NK60Z, 600V, 0.48 Ohms, 8A, 13A, 50mA, TO-247, TO-247, 600V. Tension drain - source (Vds): 600V. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 50mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2030pF. C (out): 210pF. Conditionnement: tube en plastique. Courant de drain maxi: 13A. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: W13NK60Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 150W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58

Documentation technique (PDF)
STW13NK60Z
37 paramètres
Tension drain - source (Vds)
600V
Résistance passante Rds On
0.48 Ohms
Id (T=100°C)
8A
Id (T=25°C)
13A
Idss (maxi)
50mA
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247
Tension Vds(max)
600V
C (in)
2030pF
C (out)
210pF
Conditionnement
tube en plastique
Courant de drain maxi
13A
Dissipation de puissance maxi
160W
Fonction
HIGH Current, HIGH Speed Switching
Id(imp)
40A
Idss (min)
1mA
Marquage sur le boîtier
W13NK60Z
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode zéner
Puissance
150W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'
Td(off)
61 ns
Td(on)
22 ns
Technologie
Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
570 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
30
Vgs(th) max.
4.5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics

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