Transistor canal N STW14NK50Z, TO-247, 500V, 7.6A, 14A, 50mA, 0.34 Ohms, TO-247, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Id (T=100°C): 7.6A. Id (T=25°C): 14A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 0.34 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2000pF. C (out): 238pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.38 Ohms @ 6A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 54 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 48A. Idss (min): 1mA. Marquage du fabricant: W14NK50Z. Marquage sur le boîtier: W14NK50Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58