Transistor canal N STW18NM80, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=100°C): 10.71A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 68A. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: 18NM80. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:58